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SIRM是非接觸和非破壞型光學(xué)檢測(cè)設(shè)備，對(duì)體微缺陷，如氧化物和金屬沉淀，位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)，體材料中的滑線(xiàn)和空隙等進(jìn)行測(cè)試。 這個(gè)技術(shù)也可對(duì)GaAs 和 InP等復(fù)合材料進(jìn)行測(cè)試。

LST是檢測(cè)半導(dǎo)體材料的體微缺陷有力工具，通過(guò)CCD相機(jī)，對(duì)入射光在樣品邊沿的散射進(jìn)行掃描，獲得體微缺陷分布信息。

LEIModel1605，是非接觸遷移率測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)各種半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。無(wú)需制樣，消除了樣品制備引起的遷移率變化。

LEI88 是針對(duì)科研類(lèi)客戶(hù)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，具備非接觸快速測(cè)試方塊電阻和電導(dǎo)率功能。

非接觸Hal和方塊電陽(yáng)測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。

SRP 測(cè)試系統(tǒng)，采用擴(kuò)展電阻率技術(shù)(SRP)，對(duì)載流子濃度和電阻率隨深度的變化做快速測(cè)試。