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產品簡介
OmniFluo-FLIM系列顯微熒光壽命成像系統由科研級正置顯微鏡，配合多波長光路轉換機構，實現一套系統多波長激發的靈活應用，適應不同樣品測試需求。高精度平移臺對樣品做微米量級的步進控制，實現空間高分辨率掃描。樣品發光有高效收光光路，由高速、高靈敏探測器接收，再由時間分辨精度達到16ps的時間相關單光子計數器來獲得樣品的熒光壽命。集成軟件自動擬合個采集點熒光壽命，最終得到樣品的壽命影像。
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熒光和熒光壽命
分子包含多個單能態S0、S1、S2…和三重態T1…，每個能態都包含多個精細的能級。正常情況下，大部分電子處在較低能態即基態S0 的較低能級上，當分子被光束照射，會吸收光子能量，電子被激發到更高的能態S1 或S2 上，在S2 能態上的電子只能存在很短暫的時間，便會通過內轉換過程躍遷到S1 上，而S1 能態上的電子亦會在極短時間內躍遷到S1 的*低能級上，而這些電子會存在一段時間后通過震蕩弛豫輻射躍遷到基態，這個過程會釋放一個光子，即熒光。
此外，亦會有電子躍遷至三重態T1 上，再由T1 躍遷至基態，我們稱之為磷光。
熒光特性
研究熒光特性時，主要在以下幾方面進行分析：激發光譜，發射光譜、熒光強度、偏振熒光、熒光發光量子產率、熒光壽命等。其中熒光壽命（Fluorescence Lifetime）是指熒光分子在激發態上存在的平均時間（納秒量級）。
熒光壽命測試
熒光壽命一般在幾納秒至幾百納秒之間，如今主要有兩類測試方法：時域測量和頻域測量時間穩定性實驗測試曲線：
1 時域測量
由一束窄脈沖將熒光分子激發至較高能態S1，接著測量熒光的發射幾率隨時間的變化。其中目前廣泛應用的是時間相關單光子計數，即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)
時間相關單光子計數(TCSPC) 實現了從百ps-ns-us 的瞬態測試，此方法對數據的獲取所有依賴快速探測器和高速電路。用統計的方法計算樣品受激后發出的一個( 也是僅有的一個) 光子與激發光之間的時間差，也就是下圖的START( 激發時刻) 與STOP( 發光時刻) 的時間差。由于對于Stop 信號的要求，所以TCSPC 一般需要高重復頻率的光源作為激發源，其重復至少要在100KHz 以上，多數的光源都會達到MHz 量級；同時，在一般情況下還要對Stop 信號做數量上的控制，做到盡量滿足在一個激發周期內，樣品產生且只產生一個光子的有效熒光信號，避免光子對的出現。
2 頻域測量
對連續激發光進行振幅調制后，分子發出的熒光強度也會受到振幅調制，兩個調制信號之間存在與熒光壽命相關的相位差，因此可以測量該相位差計算熒光壽命。
左圖為正弦調制激發光（綠色）頻域顯示，發射光信號（紅色）相應的相位變化頻域顯示。
右圖為對應不同壽命的調制和相位的頻域顯示。TM- 調制壽命，TP- 相位壽命。[1]
顯微熒光壽命成像技術（FLIM）
顯微熒光壽命成像技術（Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy，FLIM）是一種在顯微尺度下展現熒光壽命空間分布的技術，由于其不受樣品濃度影響，具有其他熒光成像技術無法代替的優異性能，目前在生物醫學工程、光電半導體材料等領域是一種重要的表征測量手段。
FLIM 一般分為寬場FLIM 和激光掃描FLIM。
寬場FLIM（Wide Field FLIM,WFM）
該技術是用平行光照明并由物鏡聚焦樣品獲得熒光信號，再由一寬場相機采集熒光成像。寬場FLIM 常用于快速獲取大面積樣品成像。時域或是頻域壽命采集都可以應用在寬場成像FLIM 上。寬場FLIM 有更高幀率和低損傷的優勢。
2 激光掃描FLIM（Laser Scanning FLIM,LSM）
激光掃描FLIM 是針對選定區域內的樣品逐點獲取其熒光衰減曲線，再經過擬合最終合成熒光壽命圖像。相比寬場FLIM，其在空間分辨率、信噪比方面有更大的優勢。掃描方式有兩種：一種是固定樣品，移動激光進行掃描，一種是固定激光，電動位移臺帶動樣品移動進行掃描。
FLIM 應用
材料科學領域
寬禁帶半導體如GaN、SiC 等體系的少子壽命mapping 測量
量子點如CdSe@ZnS 等用作熒光壽命成像顯微鏡探針
鈣鈦礦電池/LED 薄膜的組分分析、缺陷檢測
銅銦鎵硒CIGS，銅鋅錫硫CZTS 薄膜太陽能電池的組分、缺陷檢測
鑭系上轉換納米顆粒
GaAs 或GaAsP 量子阱的載流子擴散研究
生命科學領域
細胞體自身熒光壽命分析
自身熒光相對熒光標記的有效區分
活細胞內水介質的PH 值測量
局部氧氣濃度測量
具有相同頻譜性質的不同熒光標記的區分
活細胞內鈣濃度測量
時間分辨共振能量轉移（FRET）：納米級尺度上的遠差測量，環境敏感的FRET 探針定量測量
代謝成像：NAD(P)H 和FAD 胞質體的熒光壽命成像
OmniFluo-FLIM系列顯微熒光壽命成像系統應用案例
1 用熒光分子對海拉細胞進行染色
用熒光分子轉子Bodipy-C12 對海拉細胞（宮頸癌細胞的一種） 進行染色。
(a) 顯微熒光壽命成像圖，壽命范圍1ns（藍色）到2.5ns（紅色）；
(b) 熒光壽命直方圖，脂肪滴的短壽命約在1.6ns 附近，細胞中其他位置壽命較長，在1.8ns 附近。
用熒光分子轉子的時間分辨測量*大的好處在于熒光壽命具備足夠清晰的標簽特性，且與熒光團的濃度無關。[2]
2 金屬修飾熒光
金屬修飾熒光：
(a) 熒光壽命是熒光團到金表面距離的函數；
(b) 用綠色熒光蛋白（GFP）標記乳腺腺癌細胞的細胞膜的共聚焦xz 橫截面，垂直比例尺：5nm；
(c) b 圖的FLIM 圖，金表面附近的GFP 熒光壽命縮短。[2]
3 鈣鈦礦太陽能電池
下圖研究中，展示了一種動態熱風（DHA）制備工藝來控制全無機PSC 的薄膜形態和穩定性，該工藝不含有常規的有害反溶劑，可以在大氣環境中制備。同時，鈣鈦礦摻有鋇（Ba2+） 堿金屬離子（BaI2:CsPbI2Br）。這種DHA 方法有助于形成均勻的晶粒并控制結晶，從而形成穩定的全無機PSC。從而在環境條件下形成完整的黑色相。經過DHA處理的鈣鈦礦光伏器件，在0.09cm小面積下，效率為14.85%，在1x1cm的大面積下，具有13.78%的較高效率。DHA方法制備的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。
4 MQWs 多量子阱研究
在(a) 藍寶石和(b) GaN 上生長的MQWs 的共焦PL mapping 圖像。具有較小尺寸的發光團的較高密度是觀察到在GaN 上生長的MQWs。在(c) 藍寶石和(d)GaN 上生長的MQWs 的共焦TRPL mapping 圖。僅對于在GaN 上生長的MQWs，強的PL 強度區域與較長PL 衰減時間的區域很好地匹配。在(e) 藍寶石和(f)GaN 上生長的MQWs 在A 點和B 點測量的局部PL 衰減曲線，均標記在圖中。對于在GaN 上生長的MQWs，點A 和B 之間的PL 衰減時間差更高。
OmniFluo-FLIM系列顯微熒光壽命成像系統參數配置
北京卓立漢光儀器有限公司提供的顯微熒光壽命成像系統是基于顯微和時間相關單光子計數技術，配合高精度位移臺得到微觀樣品表面各空間分布點的熒光衰減曲線，再經過用數據擬合，得到樣品表面發光壽命表征的影像。是光電半導體材料、熒光標記常用熒光分子等類似熒光壽命大多分布在納秒、幾十、幾百納秒尺度的物質的選擇。
參數指標：
| 系統性能指標 | |
| 光譜掃描范圍 | 200-900nm |
| *小時間分辨率 | 16ps |
| 熒光壽命測量范圍 | 500ps-1μs@ 皮秒脈沖激光器 |
| 空間分辨率 | ≤1μm@100X 物鏡@405nm 皮秒脈沖激光器 |
| 熒光壽命檢測IRF | ≤2ns |
| 配置參數 | |
| 激發源及匹配光譜范圍 （光源參數基于 50MHz 重復頻率） | 375nm 皮秒脈沖激光器，脈寬：30ps，平均功率1.5mW，熒光波段：400-850nm |
| 405nm 皮秒脈沖激光器，脈寬：25ps，平均功率2.5mW，熒光波段：430-920nm | |
| 450nm 皮秒脈沖激光器，脈寬：50ps，平均功率1.9mW，熒光波段：485-950nm | |
| 488nm 皮秒脈沖激光器，脈寬：70ps，平均功率1.3mW，熒光波段：500-950nm | |
| 510nm 皮秒脈沖激光器，脈寬：75ps，平均功率1.1mW，熒光波段：535-950nm | |
| 635nm 皮秒脈沖激光器，脈寬：65ps，平均功率4.3mW，熒光波段：670-950nm | |
| 660nm 皮秒脈沖激光器，脈寬：60ps，平均功率1.9mW，熒光波段：690-950nm | |
| 670nm 皮秒脈沖激光器，脈寬：40ps，平均功率0.8mW，熒光波段：700-950nm | |
| 科研級正置顯微鏡 | 落射明暗場鹵素燈照明，12V，100W 5 孔物鏡轉盤，標配明場用物鏡：10×，50×，100× 監視CCD：高清彩色CMOS 攝像頭，像元尺寸：3.6μm*3.6μm， 有效像素：1280H*1024V，掃描方式：逐行，快門方式：電子快門 |
| 電動位移臺 | 高精度電動XY 樣品臺，行程：75*50mm（120*80mm 可選）， 較小步進：50nm，重復定位精度：＜ 1μm |
| 光譜儀 | 320mm 焦距影像校正單色儀，雙入口、狹縫出口、CCD 出口， 配置三塊68×68mm 大面積光柵，波長準確度：±0.1nm， 波長重復性：±0.01nm，掃描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)， 狹縫縫寬：0.01-3mm 連續電動可調 |
| 探測器：制冷型紫外可見光電倍增管，光譜范圍：185-900nm（標配，可擴展） | |
| 光譜CCD （可擴展PLmapping） | 低噪音科學級光譜CCD（LDC-DD），芯片格式：2000×256， 像元尺寸：15μm*15μ m, 探測面：30mm*3.8mm，背照式深耗盡芯片， 低暗電流，較低制冷溫度-60℃ @25℃環境溫度，風冷，較高量子效率值>95% |
| 時間相關單光子計數器（TCSPC） | 時間分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs，死時間＜ 10ns， 較高65535 個直方圖時間窗口，瞬時飽和計數率：100Mcps，支持穩態光譜測試； |
| OmniFluo-FM 熒光壽命成像專用軟件 | 控制功能：控制樣品平移臺移動，通過顯微鏡的明場光學像定位到合適區域， 框選掃描區域進行掃描，逐點獲得熒光衰減曲線，實時生成熒光圖像等 數據處理功能：自動對掃描獲得的FLIM 數據，逐點進行多組分熒光壽命擬合 （組分數小于等于4），對逐點擬合獲得的熒光強度、熒光壽命等信息生成 偽彩色圖像顯示 圖像處理功能：直方圖、色表、等高線、截線分析、3D 顯示等 |
| 操作電腦 | 品牌操作電腦，Windows 10 操作系統 |
FLIM 軟件界面
控制測試界面測試軟件的界面遵循“All In One"的簡潔設計思路，用戶可在下圖所示的控制界面中完成采集數據的所有步驟：包括控制樣品平移臺移動，通過顯微鏡的明場光學像定位到合適區域，框選掃描區域進行掃描，逐點獲得熒光衰減曲線，實時生成熒光圖像等。
數據處理界面
功能豐富的熒光壽命數據處理軟件，充分挖掘用戶數據中的寶貴信息。可自動對掃描獲得的FLIM 數據，逐點進行多組分熒光壽命擬合（組分數小于等于4），對逐點擬合獲得的熒光強度、熒光壽命等信息生成偽彩色圖像顯示。
自主開發的一套時間相關單光子計數（TCSPC）熒光壽命的擬合算法，可對熒光衰減曲線中很多包含4 個時間組分的熒光過程進行擬合，獲得每個組分的熒光壽命，光子數比例，計算評價函數和殘差。TCSPC 熒光壽命通常并非簡單的指數衰減過程，而是與光源及探測器相關的儀器響應函數（IRF）與熒光衰減過程相互卷積的結果，因此適當的擬合方法和參數選擇對獲得正確可靠的熒光壽命非常重要。該軟件可導入實際測量的IRF 對衰減曲線進行卷積計算和擬合。但是大多數情況下， IRF 很難正確的從實驗獲得，針對這種情況，軟件提供了兩種無需實驗獲取IRF 的擬合方法：
1 通過算法對數據上升沿進行擬合，獲得時間響應函數IRF，然后對整條衰減曲線進行卷積計算和擬合得到熒光壽命。
2對于衰減時間遠長于儀器響應時間的，可對衰減曲線下降沿進行直接的指數擬合。該軟件經過大量測試，可以很好的滿足各種場合的用戶需求。
MicroLED 微盤的熒光強度像（3D 顯示）：
公司郵箱： qgao@buybm.com
服務熱線： 021-61052039
公司地址： 上海市浦東新區疊橋路456弄創研智造C7區301室
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